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• 시료 조건 안내 |
진공 챔버 안의 시료에 Alumium X-rays(Energy 1486eV)를 조사, 이때 방출하는 광전자 에너지를 측정해 시료표면의 성분 및 화학적 결합상태 정보를 얻을 수 있다.
1. X-ray Source: Micro focused monochromator(10~400㎛ X-ray spot size), low power Al Ka X-ray source(75W max)
2. Electron analyzer: 3meV energy step size, ≤10㎛ spatial resolution, 1~400eV pass energy, 128-channel plate detector
3. Vacuum system: ≤5X10-9mbar
4. Depth profiling: Monatomic(Ar+), Cluster(Ar+n)
5. UV Photoelectron Spectroscopy(UPS), Angle Resolved XPS(ARXPS), 360° Rotation holder, Ion flood source for neutralisation
1. XPS: ~10㎚의 표면에 존재하는 H, He을 제외한 원소의 종류와 상대적 조성비, 화학결합상태 분석
2. Depth profile: Ar+ 이용하여 표면을 파괴하며 XPS 분석
3. Angle Resolved XPS(ARXPS): 홀더를 기울이며 분석하는 방법으로, 시료(multi layer)에 손상 없이 ~10㎚ 깊이의 XPS 정보 획득
4. UV Photoelectron Spectroscopy(UPS): 시료 표면(2~3㎚ 영역)의 일함수(Work function) 측정
상기의 기능을 선택적으로 활용하여 전자재료, 금속재료, 반도체, 고분자 등의 표면, layer 분석에 응용
표시되지 않은 시료전처리, 재료비 및 분석결과의 특별한 해석을 의뢰할 경우에 별도로 요금을 산정함
| 구분 | 항목 | 단위 | 교외 | 교내 | 가족회사(골드) | 가족회사(실버) | 가족회사(브론즈) | 비고 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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분석의뢰 |
표면분석(원소5개) | 시료 | 120,000 | 60,000 | 36,000 | 60,000 | 84,000 | |
| 표면분석 원소 추가, 위치 추가, Etch, 시간(2시간초과) | 시료, 시간, 원소, 위치 | 20,000 | 10,000 | 6,000 | 10,000 | 14,000 | ||
| Depth profile | 시료 | 120,000 | 60,000 | 36,000 | 60,000 | 84,000 | ||
| Depth profile | 시간 | 120,000 | 60,000 | 36,000 | 60,000 | 84,000 | ||
| 분석 위치 추가 | point | 60,000 | 30,000 | 18,000 | 30,000 | 42,000 |
