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| 10:00 - 18:00 | 10:00 - 18:00 | 10:00 - 18:00 | 10:00 - 18:00 | 10:00 - 18:00 | X | X |
점심시간 이용불가 : 12:00 ~ 14:00
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※ 분석 업무 중 전화연결이 어려우므로 분석 문의는 이메일(hjbae@seoultech.ac.kr, 배혜진) 바랍니다.
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FE-SEM에 FIB(집속이온빔) 장치를 장착하여, 시편 관찰 및 TEM시편 제작, 단면 가공(관찰)을 하는 용도로 사용된다.
집속한 이온 빔을 시료표면에 주사(Scanning)하여 발생한 전자/이온을 검출하여 시료의 현미경상을 관찰하고 가공할 영역을 선정, 시편을 가공(milling, thinning)한다.
1. Electron optics
1)Electron Beam Resolution : 0.7 nm@15kV, 1.4 nm@1kV
2)Acceleration Voltage : 20 V to 30 kV
3)Probe Current : 5pA ~ 40nA
4)Schottky field emitter
2. Ion optics
1)Ion Beam Resolution : 3nm@30kV, 120nm@1kV, 330nm@500V
2)Acceleration voltage : 500 V to 30 kV
3)Probe current : 1pA to 100nA
4)Ion Source : Gallium liquid metal ion source
5)Lens type : Two electrostatic lenses
3. Detectors
1)In-lens SE
2)In-lens EsB
3)Everhart-Thornley Secondary Electron detector
4)Pneumatic retractable, 6 sector annular solid state BSE-detector
4. Gas injection system : Pt
5. EDS detector
1) Silicon Drift Detector: LN2 free type with motorised slide
2) Sensor Size: 65mm^2
3) Detector Window: Ultra thin polymer window
4) Detection range: Be(4) up to Cf(98)
5) Resolution: 127 eV or less at Mn Ka, 130,000cps
6) Spectrum analysis and live spectrum, Point&ID, Map, LiveMap, Linescan
1. TEM 시편 제작(lamella)
- metal, ceramic, particle, fiber 등
2. 시편 단면 관찰
3. 시편 단면 EDS 분석
<시편 준비 사항>
* 시료량: SEM 분석이 가능한 정도의 양이면 충분합니다.
* 블럭(벌크) 시료, 세라믹/금속 시료: 높이가 낮고(0.5 크기가 작을 수록 좋습니다.
* 기타: TEM 시편 제작 목적이 최우선입니다. SEM 단면 관찰 등은 담당자와 별도 상의바랍니다.
표시되지 않은 시료전처리, 재료비 및 분석결과의 특별한 해석을 의뢰할 경우에 별도로 요금을 산정함
| 구분 | 항목 | 단위 | 교외 | 교내 | 가족회사(골드) | 가족회사(실버) | 가족회사(브론즈) | 비고 |
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분석의뢰 |
TEM 시편 제작 | 점 | 500,000 | 250,000 | 150,000 | 250,000 | 350,000 |
- 특수 시편(planar view, back side 가공 등) 제작시 별도 청구 가능 - 특수 Grid/carrier 재료비 별도 |
| milling | 시간 | 300,000 | 150,000 | 90,000 | 150,000 | 210,000 | ||
| EDS point 분석 | 회 | 20,000 | 20,000 | 20,000 | 20,000 | 20,000 | ||
| EDS line profile, mapping | 회 | 50,000 | 50,000 | 50,000 | 50,000 | 50,000 | ||
| 특수 그리드 | 개 | 30,000 | 30,000 | 30,000 | 30,000 | 30,000 |
