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| 10:00 - 18:00 | 10:00 - 18:00 | 10:00 - 18:00 | 10:00 - 18:00 | 10:00 - 18:00 | X | X |
점심시간 이용불가 : 12:00 ~ 14:00
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※ 분석 업무 중 전화연결이 어려우므로 분석 문의는 이메일(hjbae@seoultech.ac.kr, 배혜진) 바랍니다.
<시편 준비 참고사항> - 별도 장비인 FIB(집속이온빔)로 시편 가공 신청 후 분석 가능 |
구면수차보정 주사투과전자현미경
Cs corrected Scanning Transmission Electron Microscope (Probe Corrector)
※ Cs: Spherical aberration corrector
Cs-STEM은 Condenser lens의 구면수차보정 (Spherical aberration corrector) 기능을 가진 투과전자현미경(TEM)으로, 미세영역의 결정구조, 원자배열, atomic level의 STEM 이미지를 분석한다. Dual detector EDS (Energy-dispersive x-ray spectroscopy)를 장착하여 atomic level의 성분분석(color mapping, line profile 등)을 통한 화학조성 분석이 가능하다.
1. 주요 규격
- Cold type FEG
- 200kV TEM (optional voltage: 30kV, 80kV)
- Cs STEM (Probe Corrector)
- Dual EDS (100mm2*2)
- Rio Camera/Gatan
2. 성능 및 세부 규격
1) Resolution
TEM: Point image : 0.23nm, Lattice image : 0.10nm
STEM: BF image 0.078nm, DF image : 0.078nm
- probe convergence angle (2α) 1.5 to 20mrad
- probe current 1.0nA for probe diameter of 0.2 nm
2) Size for Ronchigram: ≥50mrad @ all Acc. Volt.
3) Accelerating Voltage: 30kV, 80kV, 200kV
4) Cs corrector tuning: 200kV, 80kV, 30kV
5) Probe current : 1.0nA or more for 0.2nm probe dia.
6) Magnification
TEM mode : x50 ~ x2,000,000
TEM SA MAG mode : x8,000 ~ x800,000
STEM Low mag. mode : x200 ~ x15,000
STEM MAG mode : x20,000 ~ x150,000,000
7) HAADF detector angle ranging from 68 to 280
8) EDS
- SDD Detector: Single sensor 100mm2 Active area × 2 (Dual EDS system)
- Windowless, peltier cooling type (No LN2)
- EDS Solid angle : 1.75sr
- EDS take-off angel : 18°
- Energy resolution : 133eV at Mn ka
- Detectable elements : 4Be to 92U
금속, 세라믹, 반도체, 고분자 합성체 등 재료의 형상/결정학적 특성/화학적 특성 분석
1) 물질의 형상 및 크기 분석
- 이미지 분석
형상 관찰, 분포 확인 등
격자, 원자배열 등 lattice parameter 분석
금속 재료 결함, 전위, 결정립 등 미세 조직 분석
2) 결정학적 특성 평가
- 회절패턴(DP, SAED, SAD, SADP) 분석
결정질 재료 결정성, 결함 구조, 방향 관계 확인
lattice parameter 규명 등
3) 화학적 특성평가
- 성분분석(EDS)
※ EDS: Energy Dispersive X-ray Spectrometer(Spectroscopy), 에너지 분산형 분광기(법)
- 화학조성, 원소 정량/정성 분석
line profile/color mapping (STEM mode)
<시편 준비 참고사항>
* 분말 시료
- 시편 전처리 지원 가능 (전처리 비용 별도, 최소 1일 전까지 샘플 필요)
- 건조 후 점성이 있는 시료는 분석 불가
* 블럭(벌크) 시료, 세라믹/금속 시료
- 별도 장비인 FIB(집속이온빔)로 시편 가공 신청 후 분석 가능
표시되지 않은 시료전처리, 재료비 및 분석결과의 특별한 해석을 의뢰할 경우에 별도로 요금을 산정함
| 구분 | 항목 | 단위 | 교외 | 교내 | 가족회사(골드) | 가족회사(실버) | 가족회사(브론즈) | 비고 |
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분석의뢰 |
기본사용료 | 시료(30분) | 150,000 | 75,000 | 45,000 | 75,000 | 105,000 | |
| STEM/EDS 분석 | 회 | 20,000 | 20,000 | 20,000 | 20,000 | 20,000 | ||
| 전처리(일반 그리드) | 개 | 20,000 | 20,000 | 20,000 | 20,000 | 20,000 | ||
| 전처리(특수 그리드) | 개 | 25,000 | 25,000 | 25,000 | 25,000 | 25,000 |
